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氧化镓研究取得新突破

2023-03-31 10:21:45

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来源.旅行者说文史只有8英寸,我国半导体行业又传来了好消息,氧化镓研究取得新突破!#科技之颠#氧化镓是公认的第4代半导体材料,近年来,我国在氧化镓的制备上连续取

来源·旅行者说文史

只有8英寸,我国半导体行业又传来了好消息,氧化镓研究取得新突破!#科技之颠#

氧化镓是公认的第4代半导体材料,近年来,我国在氧化镓的制备上连续取得了突破性进展。就在前不久,西安邮电大学陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。从2英寸到6英寸,再到最新的8英寸,标志了我国半导体领域在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者。

由于氧化镓的优势是击穿电场强度高,导电电阻低,因此具有广阔的应用前景,像是光伏、电动汽车等领域都是其应用范围。


氧化镓研究取得新突破
来源.旅行者说文史只有8英寸,我国半导体行业又传来了好消息,氧化镓研究取得新突破!#科技之颠#氧化镓是公认的第4代半导体材料,近年来,我国在氧化镓的制备上连续取
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